| 发明名称 |
场发射阴极装置及场发射器件 |
| 摘要 |
一种场发射阴极装置，包括：一阴极电极；一电子发射体，该电子发射体与所述阴极电极电连接；一电子引出极，该电子引出极通过一绝缘隔离层与所述阴极电极电绝缘且间隔设置，该电子引出极具有一通孔对应所述电子发射体；所述电子发射体包括多个子电子发射体，每个子电子发射体远离阴极电极的一端至电子引出极所述通孔的侧壁的最短距离基本一致。本发明还涉及利用所述场发射阴极装置的场发射器件。 |
| 申请公布号 |
CN103854935A |
申请公布日期 |
2014.06.11 |
| 申请号 |
CN201210518136.2 |
申请日期 |
2012.12.06 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
柳鹏;张春海;周段亮;杜秉初;郭彩林;陈丕瑾;范守善 |
| 分类号 |
H01J1/304(2006.01)I |
主分类号 |
H01J1/304(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种场发射阴极装置，包括：一阴极电极；一电子发射体，该电子发射体与所述阴极电极电连接；一电子引出极，该电子引出极通过一绝缘隔离层与所述阴极电极电绝缘且间隔设置，该电子引出极具有一通孔对应所述电子发射体；其特征在于，所述电子发射体包括多个子电子发射体，每个子电子发射体远离阴极电极的一端至电子引出极的所述通孔的侧壁的最短距离基本一致。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
