发明名称 改善化学气相淀积炉管工艺颗粒的方法
摘要 本发明公开了一种改善化学气相淀积炉管工艺颗粒的方法,在化学气相淀积炉管工艺的完成成膜后的降温步骤中,利用循环净化进行处理,同时通入氮气和笑气,从而使前步成膜工艺附着在排气管管壁的DCS(二氯二氢硅,SiH<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>)与笑气进行反应,使其转化成为氧化层,最终再通过排气管排出;所述的循环净化具体包括如下步骤:先将炉管的压力抽到底压,然后同时通入氮气、笑气,维持一定时间后,接着再抽到底压,然后再同时通入氮气和笑气,维持一定时间后,再抽到底压,由此进行循环。本发明在保证对于工艺的作业时间没有影响,并保证了设备的产能的情况下,能有效改善化学气相淀积炉管工艺的颗粒问题。
申请公布号 CN103849852A 申请公布日期 2014.06.11
申请号 CN201210509243.9 申请日期 2012.12.03
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 成鑫华;孙勤;袁宿凌
分类号 C23C16/00(2006.01)I 主分类号 C23C16/00(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 王函
主权项 一种改善化学气相淀积炉管工艺颗粒的方法,其特征在于,在化学气相淀积炉管工艺的完成成膜后的降温步骤中,利用循环净化进行处理,同时通入氮气和笑气,从而使前步成膜工艺附着在排气管管壁的二氯二氢硅与笑气进行反应,使其转化成为氧化层,最终再通过排气管排出;所述的循环净化具体包括如下步骤:先将炉管的压力抽到底压,然后同时通入氮气、笑气,维持一定时间后,接着再抽到底压,然后再同时通入氮气和笑气,维持一定时间后,再抽到底压,由此进行循环。
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号