发明名称 |
三维硅穿孔构建 |
摘要 |
本发明公开了三维硅穿孔构建。本发明的实施例包括具有一起封装在相同封装中的多个裸片的器件。多个裸片布置在内插件上,内插件则布置在封装衬底上。内插件包括诸如硅的半导体衬底,具有从内插件的前表面延伸到内插件的后表面的过孔。内插件可以是无源内插件或有源内插件。有源内插件包括一个或多个裸片的功能性,并且因此减小布置在有源内插件上的裸片的数目。 |
申请公布号 |
CN103855135A |
申请公布日期 |
2014.06.11 |
申请号 |
CN201310629458.9 |
申请日期 |
2013.11.29 |
申请人 |
辉达公司 |
发明人 |
泽圭姜;翟军 |
分类号 |
H01L25/065(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/535(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/065(2006.01)I |
代理机构 |
北京市磐华律师事务所 11336 |
代理人 |
谢栒;张玮 |
主权项 |
一种电子器件,包括:封装衬底;内插件,其布置在所述封装衬底上并且电耦连到所述封装衬底;以及多个裸片,其布置在所述内插件上并且电耦连到所述内插件。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |