发明名称 晶圆上芯片参数的修调方法
摘要 本发明公开了一种晶圆上芯片参数的修调方法,包括以下步骤:第一步,将测试晶圆上的所有芯片分为多个测试单位;第二步,通过探针卡测量某一测试单位内各芯片需要修调的某一参数,得到该测试单位内全部芯片的该参数的本征值;第三步,对该测试单位内全部芯片的参数本征值取平均值,将该参数平均值作为该测试单位内所有芯片的修调目标值,同时写到芯片中供芯片在后续的测试以及正常工作中使用,从而完成测试晶圆上某一测试单位的修调;第四步,重复第二步至第三步,直至完成整枚测试晶圆上全部测试单位的修调。本发明能够在保证大规模量产的同时提高修调的准确度。
申请公布号 CN103855045A 申请公布日期 2014.06.11
申请号 CN201210499889.3 申请日期 2012.11.29
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 辛吉升;桑浚之
分类号 H01L21/66(2006.01)I;G01R31/28(2006.01)I;G01R31/3177(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 张骥
主权项 一种晶圆上芯片参数的修调方法,其特征在于,包括以下步骤:第一步,以探针卡每次能够覆盖的所有芯片为一个测试单位,将测试晶圆上的所有芯片分为多个测试单位;第二步,通过探针卡测量某一测试单位内各芯片需要修调的某一参数,得到该测试单位内全部芯片的该参数的本征值;第三步,对该测试单位内全部芯片的参数本征值取平均值,将该参数平均值作为该测试单位内所有芯片的修调目标值,同时写到芯片中供芯片在后续的测试以及正常工作中使用,从而完成测试晶圆上某一测试单位的修调;第四步,重复第二步至第三步,完成测试晶圆上另一测试单位的修调;直至完成整枚测试晶圆上全部测试单位的修调。
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号