发明名称 |
晶圆上芯片参数的修调方法 |
摘要 |
本发明公开了一种晶圆上芯片参数的修调方法,包括以下步骤:第一步,将测试晶圆上的所有芯片分为多个测试单位;第二步,通过探针卡测量某一测试单位内各芯片需要修调的某一参数,得到该测试单位内全部芯片的该参数的本征值;第三步,对该测试单位内全部芯片的参数本征值取平均值,将该参数平均值作为该测试单位内所有芯片的修调目标值,同时写到芯片中供芯片在后续的测试以及正常工作中使用,从而完成测试晶圆上某一测试单位的修调;第四步,重复第二步至第三步,直至完成整枚测试晶圆上全部测试单位的修调。本发明能够在保证大规模量产的同时提高修调的准确度。 |
申请公布号 |
CN103855045A |
申请公布日期 |
2014.06.11 |
申请号 |
CN201210499889.3 |
申请日期 |
2012.11.29 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
辛吉升;桑浚之 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I;G01R31/28(2006.01)I;G01R31/3177(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
张骥 |
主权项 |
一种晶圆上芯片参数的修调方法,其特征在于,包括以下步骤:第一步,以探针卡每次能够覆盖的所有芯片为一个测试单位,将测试晶圆上的所有芯片分为多个测试单位;第二步,通过探针卡测量某一测试单位内各芯片需要修调的某一参数,得到该测试单位内全部芯片的该参数的本征值;第三步,对该测试单位内全部芯片的参数本征值取平均值,将该参数平均值作为该测试单位内所有芯片的修调目标值,同时写到芯片中供芯片在后续的测试以及正常工作中使用,从而完成测试晶圆上某一测试单位的修调;第四步,重复第二步至第三步,完成测试晶圆上另一测试单位的修调;直至完成整枚测试晶圆上全部测试单位的修调。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |