| 发明名称 | 栅极堆迭结构及包含其的金属氧化物半导体元件及栅极堆迭结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种栅极堆迭结构及包含其的金属氧化物半导体元件以及其制作方法。上述晶体管的栅极堆迭结构，包含一基板；一半导体层，设置于该基板上；一栅极介电层，设置于该半导体层上，其中该栅极介电层包含交错堆迭的氧化镧(La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)及氧化铪(HfO<sub>2</sub>)所构成的复合氧化物层；以及一栅极电极层，设置于该栅极介电层上。 | ||
| 申请公布号 | CN103855195A | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
| 申请号 | CN201210543673.2 | 申请日期 | 2012.12.13 |
| 申请人 | 财团法人交大思源基金会 | 发明人 | 林岳钦;张翼;庄庭维 |
| 分类号 | H01L29/51(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/51(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆勍 |
| 主权项 | 一种晶体管的栅极堆迭结构，包含：一基板；一半导体层，设置于该基板上；一栅极介电层，设置于该半导体层上，其中该栅极介电层包含由氧化镧(La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)及氧化铪(HfO<sub>2</sub>)所组成的复合氧化物层；以及一栅极电极层，设置于该栅极介电层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市大学路1001号 | ||