发明名称 |
半导体装置及其占空比校正方法 |
摘要 |
本发明提供一种半导体装置,包括占空比校正块和延迟锁定环。占空比校正块通过校正内部时钟的占空比来产生占空校正时钟、当延迟锁定环被复位时调整占空校正时钟的上升沿的相位、以及当延迟锁定环被锁定时调整占空校正时钟的下降沿的相位。延迟锁定环接收外部时钟以输出内部时钟,以及在占空比校正块调整占空校正时钟的上升沿的相位完成时将外部时钟延迟可变延迟量以输出内部时钟。 |
申请公布号 |
CN103856187A |
申请公布日期 |
2014.06.11 |
申请号 |
CN201310198833.9 |
申请日期 |
2013.05.24 |
申请人 |
爱思开海力士有限公司 |
发明人 |
徐荣锡 |
分类号 |
H03K3/017(2006.01)I;H03L7/08(2006.01)I |
主分类号 |
H03K3/017(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
俞波;周晓雨 |
主权项 |
一种半导体装置的占空比校正方法,包括以下步骤:第一占空比校正步骤:当通过校正外部时钟的占空比而产生占空校正时钟时,调整所述占空校正时钟的上升沿的相位;延迟锁定步骤:将所述外部时钟延迟可变延迟量,并且产生锁定的DLL时钟;以及第二占空比校正步骤:当通过校正所述DLL时钟的占空比而产生所述占空校正时钟时,调整所述占空校正时钟的下降沿的相位。 |
地址 |
韩国京畿道 |