| 发明名称 | 高可靠性和高密度的电阻转换随机存取存储器的方法和结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种电阻式随机存取存储器(RRAM)结构。该RRAM结构包括位于衬底上的底部电极；位于底部电极上的电阻材料层，该电阻材料层具有导电丝比率大于约0.5的导电丝部件；和位于电阻材料层上的顶部电极。本发明还提供了高可靠性和高密度的电阻转换随机存取存储器的方法和结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103855303A | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
| 申请号 | CN201310055715.2 | 申请日期 | 2013.02.21 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 蔡竣扬;丁裕伟;黄国钦 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种电阻式随机存取存储器(RRAM)结构，包括：底部电极，位于衬底上；电阻材料层，位于所述底部电极上，所述电阻材料层具有导电丝比率大于约0.5的导电丝部件；以及顶部电极，位于所述电阻材料层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||