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Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Transistor (200), der in einem Halbleitersubstrat (100) mit einer ersten Hauptoberfläche (110) ausgebildet ist. Der Transistor (200) umfasst einen Sourcebereich (201), einen Drainbereich (205), einen Kanalbereich (220), eine Driftzone (260) und eine Gateelektrode (210), die benachbart zu dem Kanalbereich (220) ist. Die Gateelektrode (210) ist gestaltet, um eine Leitfähigkeit eines in dem Kanalbereich (220) gebildeten Kanals zu steuern, wobei der Kanalbereich (220) und die Driftzone (260) längs einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich (201) und dem Drainbereich (205) angeordnet sind, wobei die erste Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche (110) ist. Der Kanalbereich (220) hat eine Gestalt eines ersten Kammes bzw. Grates, der sich längs der ersten Richtung erstreckt, und der Transistor umfasst eine erste Feldplatte (250), die benachbart zu der Driftzone (260) angeordnet ist. |
