发明名称 |
HALBLEITERVORRICHTUNG MIT EINER RIPPE UND EINEM DRAIN-AUSDEHNUNGSBEREICH SOWIE HERSTELLUNGSVERFAHREN |
摘要 |
Ein Ausführungsbeispiel einer Halbleitervorrichtung (100) umfasst eine Rippe (120) auf einer ersten Seite eines Halbleiterkörpers (110). Die Halbleitervorrichtung (100) umfasst weiterhin einen Bodybereich (130) eines zweiten Leitfähigkeitstyps in wenigstens einem Teil der Rippe (120). Die Halbleitervorrichtung umfasst außerdem einen Drain-Ausdehnungsbereich (140) eines ersten Leitfähigkeitstyps, einen Source- sowie einen Drainbereich (160, 165) des ersten Leitfähigkeitstyps und eine Gatestruktur (150), die an entgegengesetzte Wände der Rippe (120) angrenzt. Der Bodybereich (130) und der Drain-Ausdehnungsbereich (140) sind nacheinander zwischen dem Sourcebereich (160) und dem Drainbereich (165) angeordnet. |
申请公布号 |
DE102013113343(A1) |
申请公布日期 |
2014.06.05 |
申请号 |
DE201310113343 |
申请日期 |
2013.12.02 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG |
发明人 |
MEISER, ANDREAS;KAMPEN, CHRISTIAN |
分类号 |
H01L29/78;H01L21/336;H01L29/40 |
主分类号 |
H01L29/78 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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