发明名称 Wechselrichter mit SiC-JFETs
摘要 <p>Ein Wechselrichter enthält eine Referenzleitung, die operativ mit einem Referenzpotential versorg wird, und eine Versorgungsleitung, die operativ mit einer Gleichstrom-Versorgungsspannung bezüglich des Referenzpotentials versorgt wird. Eine erste Halbbrücke enthält einen Hochspannungsschalter und einen Niederspannungsschalter. Der Hochspannungsschalter ist zwischen die Versorgungsleitung und einen mittleren Abgriff der Halbbrücke gekoppelt, und der Niederspannungsschalter ist zwischen den mittleren Abgriff und die Referenzleitung gekoppelt. Der Niederspannungsschalter wird durch einen normalerweise eingeschalteten Siliziumkarbid-Sperrschicht-Feldeffekttransistor gebildet, und der Hochspannungsschalter wird durch eine Reihenschaltung aus einem normalerweise eingeschalteten Siliziumkarbid-Sperrschicht-Feldeffekttransistor und einem normalerweise ausgeschalteten Metalloxidfeldeffekttransistor gebildet.</p>
申请公布号 DE102013224022(A1) 申请公布日期 2014.06.05
申请号 DE201310224022 申请日期 2013.11.25
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 CASTRO SERRATO, CARLOS;MANKEL, MICHAEL;MÜNZER, MARK NILS
分类号 H02M7/537 主分类号 H02M7/537
代理机构 代理人
主权项
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