Eingehäuste vertikale Leistungsvorrichtung, die eine Druckbelastung aufweist, und Verfahren zur Herstellung einer eingehäusten vertikalen Leistungsvorrichtung

摘要

Eine eingehäuste vertikale Halbleitervorrichtung (200), die eine Druckbeanspruchung aufweist, und ein Verfahren zur Herstellung einer solchen eingehäusten vertikalen Halbleitervorrichtung (200) werden offenbart. In einer Ausführungsform weist eine zusammengesetzte Vorrichtung (200) auf einen Träger (260), eine auf dem Träger (260) ausgebildete Verbindungsschicht (250), wobei die Verbindungsschicht (250) eine erste Höhe aufweist; und einen auf der Verbindungsschicht (250) ausgebildeten Chip (210), wobei der Chip (210) eine zweite Höhe aufweist, wobei die zweite Höhe geringer ist als die erste Höhe,