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Integrierter Halbleiterspeicher, umfassend:–eine programmierbare Speichereinheit (60) zum Speichern eines Speicherzustands,–eine Empfangsschaltung (11, 21, 31), die einen ersten Anschluss (V1) zum Anlegen einer Versorgungsspannung (VDD), einen zweite Anschluss (V2) zum Anlegen einer Bezugsspannung (VSS), einen dritten Anschluss (V3), einen ersten Strompfad (P1) und einen zweiten Strompfad (P2) und einen steuerbaren Widerstand (5) aufweist,–wobei der erste Strompfad (P1) und der zweite Strompfad (P2) der Empfangsschaltung zwischen den ersten Anschluss (V1) und den dritten Anschluss (V3) der Empfangsschaltung parallel geschaltet sind,–wobei der steuerbare Widerstand (5) der Empfangsschaltung zwischen den dritten Anschluss (V3) und den zweiten Anschluss (V2) der Empfangsschaltung geschaltet ist,–wobei ein Wert des steuerbaren Widerstands (5) der Empfangsschaltung von dem Speicherzustand abhängig ist. |
