鳍式场效应晶体管芯片及其制造方法

摘要

本发明提供一种鳍式场效应晶体管芯片及其制造方法，制造方法包括：在半导体衬底上形成硬掩模图形；图形化半导体衬底，形成多个鳍；去除位于核心单元区域的鳍上的硬掩模图形，同时保留位于外围区域的鳍上的硬掩模图形，去除了硬掩模图形的鳍构成第一鳍，未去除硬掩模图形的鳍与位于其上的硬掩模图形构成第二鳍；形成栅极；在第一鳍上形成第一源极和第一漏极，在第二鳍上形成第二源极和第二漏极；在第一鳍、第二鳍之间的栅极上填充层间介质层，直至层间介质层覆盖第一鳍和第二鳍上的栅极；通过平坦化工艺去除第一鳍和第二鳍上的层间介质层、第二鳍上的栅极，直至露出第二鳍的硬掩模图形。本发明提高了鳍式场效应晶体管芯片的使用灵活性和电学性能。

主权项

一种鳍式场效应晶体管芯片的制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成硬掩模图形；以所述硬掩模图形为掩模图形化所述半导体衬底，形成多个鳍；去除位于核心单元区域的鳍上的硬掩模图形，同时保留位于外围区域的鳍上的硬掩模图形，其中，去除了硬掩模图形的鳍构成第一鳍，未去除硬掩模图形的鳍与位于其上的硬掩模图形构成第二鳍；形成覆盖于所述第一鳍和第二鳍上的栅极；在第一鳍上栅极露出区域分别形成第一源极和第一漏极，在第二鳍上栅极露出的区域分别形成第二源极和第二漏极；在第一鳍、第二鳍之间的栅极上填充层间介质层，直至层间介质层覆盖所述第一鳍和所述第二鳍上的栅极；通过平坦化工艺去除第一鳍和第二鳍上多余的层间介质层、第二鳍上的栅极，直至露出第二鳍的硬掩模图形。