发明名称 Procédé de préparation de dispositifs utilisant des couches de transition entre semiconducteurs des types <<p>> et n
摘要
申请公布号 FR72192(E) 申请公布日期 1960.08.05
申请号 FRD72192D 申请日期 1957.08.22
申请人 COMPAGNIE FRANCAISE THOMSON-HOUSTON 发明人
分类号 H01L21/3063;H01L21/308 主分类号 H01L21/3063
代理机构 代理人
主权项
地址