发明名称 |
一种IGBT短路集电极结构的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种IGBT短路集电极结构的制备方法,属于功率半导体器件。该方法为:在所IGBT结构的正面形成栅极结构和源极结构后,将N-型衬底的背面减薄,并在N-型衬底的背面淀积一层掩蔽层;依次刻蚀部分掩蔽层和N-型衬底,并在N-型衬底的背面形成凹槽;在掩蔽层上和凹槽内淀积薄膜层,薄膜层的材料为锗,锗的厚度大于所述凹槽的深度;刻蚀掉掩蔽层上的所述薄膜层,经平坦后,依次通过离子注入和高温退火,在掩蔽层上刻蚀孔,并淀积金属,然后形成集电极。本发明在器件特性上,可以降低IGBT的导通电压和关断时间,并优化其导通和关断的折中特性;在制备工艺上,可以在较低温度下完全激活杂质,从而易于工艺的控制。 |
申请公布号 |
CN103839797A |
申请公布日期 |
2014.06.04 |
申请号 |
CN201310086224.4 |
申请日期 |
2013.03.18 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 |
发明人 |
胡爱斌;朱阳军;赵佳;吴振兴;卢烁今 |
分类号 |
H01L21/283(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/283(2006.01)I |
代理机构 |
北京华沛德权律师事务所 11302 |
代理人 |
刘丽君 |
主权项 |
一种IGBT短路集电极结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:在IGBT结构的正面形成栅极结构和源极结构后,将N‑型衬底的背面减薄,并在所述N‑型衬底的背面淀积一层掩蔽层;依次刻蚀部分所述掩蔽层和所述N‑型衬底,并在所述N‑型衬底的背面形成凹槽;在所述掩蔽层上和所述凹槽内淀积薄膜层,所述薄膜层的材料为锗,所述锗的厚度大于所述凹槽的深度;刻蚀掉所述掩蔽层上的所述薄膜层,经平坦后,依次通过离子注入和高温退火,所述高温退火的温度为300℃‑500℃;在所述掩蔽层上刻蚀孔,并淀积金属,然后形成集电极。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 |