| 发明名称 | 保护包含空气间隙的半导体中金属结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种保护包含空气间隙的半导体中金属结构的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层，所述介质层内形成有至少两个独立的金属结构，所述金属结构之间的介质层中形成有空气间隙；对所述介质层进行平坦化处理，暴露出所述空气间隙；在所述介质层上沉积保护层。通过暴露出空气间隙，增加介质层被平坦化去除的厚度，以此增加之后沉积的保护层的厚度，达到保护空气间隙不被后续工艺破坏的目的，从而保护介质层中的金属结构不被破坏，提高半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103839869A | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201410098284.2 | 申请日期 | 2014.03.17 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 胡海天;程君;张泽松;李志国 |
| 分类号 | H01L21/764(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/764(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种保护包含空气间隙的半导体中金属结构的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层，所述介质层内形成有至少两个独立的金属结构，所述金属结构之间的介质层中形成有空气间隙；对所述介质层进行平坦化处理，暴露出所述空气间隙；在所述介质层上沉积保护层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||