| 发明名称 | 一种化学机械抛光工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了用于TSV硅通孔化学机械抛光的工艺方法，包括以下步骤：第一步，用铜抛光液去除铜覆盖层并对表面进行平坦化；第二步，用抛光液去除钽阻挡层和TSV隔离层SiO<sub>2</sub>，并对表面进行平坦化。采用优化工艺进行抛光后的效果图，抛光的目的在于除去铜覆盖层、钽阻挡层和TSV隔离层SiO<sub>2</sub>，并且使抛光停留在停留层Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>上，从而保证对器件绝缘层SiO<sub>2</sub>不造成损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN103831706A | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201210492228.8 | 申请日期 | 2012.11.27 |
| 申请人 | 安集微电子（上海）有限公司 | 发明人 | 王雨春;荆建芬;庞可亮 |
| 分类号 | B24B37/02(2012.01)I;B24B37/04(2012.01)I;C09G1/02(2006.01)I | 主分类号 | B24B37/02(2012.01)I |
| 代理机构 | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人 | 李佳铭 |
| 主权项 | 一种用于TSV硅通孔化学机械抛光的工艺方法，包括以下步骤：步骤A：用铜抛光液去除铜覆盖层并对表面进行平坦化，步骤B：用钽抛光液去除钽阻挡层并对表面进行平坦化。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼602室 | ||