| 发明名称 | IGBT及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种绝缘栅双极性晶体管及其制造方法，该绝缘栅双极性晶体管具备：发射区；顶部体区，其被形成在发射区的下侧；浮置区，其被形成在顶部体区的下侧；底部体区，其被形成在浮置区的下侧；沟槽；栅绝缘膜，其覆盖沟槽的内表面；栅电极，其被配置于沟槽的内部。在沿着半导体基板的厚度方向来观察与发射区相比位于下侧的顶部体区内和浮置区内的p型杂质浓度分布时，p型杂质浓度随着从与发射区相比位于下侧的顶部体区的上端趋向下侧而减少，且在浮置区内的预定深度处达到极小值。 | ||
| 申请公布号 | CN103843142A | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201180073862.1 | 申请日期 | 2011.09.28 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 妹尾贤;宫城恭辅;西胁刚;斋藤顺 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 黄威;苏萌萌 |
| 主权项 | 一种绝缘栅双极性晶体管，其具备半导体基板，并具有：n型的发射区，其被形成在露出于半导体基板的上表面的范围内；p型的顶部体区，其被形成在发射区的下侧；n型的浮置区，其被形成在顶部体区的下侧，并通过顶部体区而与发射区隔开；p型的底部体区，其被形成在浮置区的下侧，并通过浮置区而与顶部体区隔开；沟槽，其被形成在半导体基板的上表面，并贯穿发射区、顶部体区、浮置区以及底部体区；栅绝缘膜，其覆盖沟槽的内表面；栅电极，其被配置于沟槽的内部，在沿着半导体基板的厚度方向来观察与发射区相比位于下侧的顶部体区和浮置区内的p型杂质浓度分布时，p型杂质浓度随着从与发射区相比位于下侧的顶部体区的上端趋向下侧而减少，且在浮置区内的预定深度处达到极小值。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||