| 发明名称 | 离子注入机的工艺能力的监控方法和离子注入方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种离子注入机的工艺能力的监控方法和离子注入方法，其中，所述离子注入机的工艺能力的监控方法包括：提供一裸片晶圆；在裸片晶圆上依次沉积氧化层和多晶硅层；对多晶硅层进行离子注入以形成测试晶圆；测试测试晶圆的电阻值，并判断该电阻值是否符合控制要求；其中，进行离子注入时对离子注入机的聚焦电压进行了设置。在本发明提供的离子注入机的工艺能力的监控方法和离子注入方法中，通过在裸片晶圆上依次形成氧化层和多晶硅层，并对多晶硅层进行离子注入以形成测试晶圆，测试测试晶圆的电阻值能够对离子注入机的工艺能力实现有效地监控，而在离子注入时通过调节聚焦电压提高多晶硅栅极离子注入工艺的稳定性亦是本发明的内容之一。 | ||
| 申请公布号 | CN103839858A | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201410098578.5 | 申请日期 | 2014.03.17 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 国子明;王毅;郭国超;姚雷;郝志 |
| 分类号 | H01L21/67(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/67(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种离子注入机的工艺能力的监控方法，其特征在于，包括：提供一裸片晶圆；在所述裸片晶圆上依次沉积氧化层和多晶硅层；对所述多晶硅层进行离子注入以形成测试晶圆；测试所述测试晶圆的电阻值，并判断所述电阻值是否符合控制要求；其中，进行离子注入时对所述离子注入机的聚焦电压进行了设置。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||