一种IGBT结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种IGBT结构及其制作方法，属于半导体功率器件。该结构从背面到正面依次包括，P+集电极，N+缓冲层、N-基底、P+基区、栅极和发射极；其中，P+集电极位于IGBT器件的底部，N+缓冲层包括第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层，P+型集电极到N-基底之间依次有第三缓冲层、第二缓冲层和第一缓冲层。本发明可以对IGBT的正向导通压降和关断时间分别优化，从而可以获得更好的导通和关断的折中曲线，进而可以优化IGBT的开关特性。

主权项

一种IGBT结构，其特征在于，从背面到正面依次包括，P+集电极，N+缓冲层、N‑基底、P+基区、N+发射区、栅极氧化层、栅极和发射极；其中，所述P+集电极位于所述IGBT器件的底部，所述N+缓冲层包括第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层，所述P+型集电极到所述N‑基底之间依次有所述第三缓冲层、所述第二缓冲层和所述第一缓冲层，所述第一缓冲层的厚度为0.1μm‑2μm，所述第一缓冲层的掺杂浓度为1e15/cm³–5e16/cm³，所述第二缓冲层的厚度为1μm‑20μm，所述第二缓冲层的掺杂浓度为1e12/cm³–1e15/cm³，所述第三缓冲层的厚度为0.5μm‑2μm，所述第三缓冲层的掺杂浓度为5e15/cm³–1e17/cm³。