| 发明名称 | 一种半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件，包括栅极结构，所述栅极结构中包括功函数金属层，其中，所述功函数金属层的中间区域与边缘区域的厚度不同。这一半导体器件，由于功函数金属层的中心区域和边缘区域厚度不同，可以起到调节栅极的功函数的作用，在一定程度上减小了半导体器件的短沟道效应。本发明的半导体器件的制造方法包括形成栅极的功函数金属层的步骤，其形成的功函数金属层的中间区域与边缘区域的厚度不同。该半导体器件的制造方法，通过将功函数金属层的中心区域和边缘区域设置为不同厚度，调节了栅极的功函数，减小了制造的半导体器件的短沟道效应。 | ||
| 申请公布号 | CN103839981A | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201210475974.6 | 申请日期 | 2012.11.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 鲍宇;平延磊 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括栅极结构，所述栅极结构中包括功函数金属层，其特征在于，所述功函数金属层的中间区域与边缘区域的厚度不同。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||