发明名称 半导体发光装置及其制造方法
摘要 根据一个实施例,半导体发光装置包括半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层、第一互连层、第二互连层、第一金属柱、第二金属柱,以及第二绝缘层。半导体层包括第一主表面,与第一主表面相反的第二主表面,以及发光层。第一互连层的一部分的边缘被从第一绝缘层和第二绝缘层中侧向暴露出来。
申请公布号 CN102270727B 申请公布日期 2014.06.04
申请号 CN201110070604.X 申请日期 2011.03.17
申请人 株式会社东芝 发明人 秋元阳介;小岛章弘;猪塚幸;杉崎吉昭
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 蔡胜利
主权项 一种半导体发光装置,包括:半导体层,其包括第一主表面,与所述第一主表面相反的第二主表面,以及发光层;第一电极,其被设置于所述第二主表面的包括所述发光层的区域上;第二电极,其被设置于所述第二主表面上;第一绝缘层,其被设置于所述半导体层的所述第二主表面侧上,并且包括与所述第一电极连通的第一开口和与所述第二电极连通的第二开口;第一互连层,其被设置于所述第一绝缘层中的第一开口内,并且被连接至所述第一电极;第二互连层,其被设置于所述第一绝缘层中的第二开口内,并且被连接至所述第二电极;第一金属柱,其被设置于所述第一互连层的与所述第一电极相反一侧的表面上;第二金属柱,其被设置于所述第二互连层的与所述第二电极相反一侧的表面上;以及第二绝缘层,其被设置于所述第一金属柱的侧面和所述第二金属柱的侧面之间;所述第一互连层的一部分的边缘被从所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中侧向暴露出来,其中,所述第二互连层的所有边缘被所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的一个覆盖。
地址 日本东京都