发明名称 半导体器件和显示装置
摘要 提供了一种半导体器件,在该半导体器件中,在有机半导体层得到保护膜充分保护的同时,能够防止在保护膜界面处出现剥离,由此实现良好的器件性能和由于机械可靠性改善而提高的产率。半导体器件(1a)包括通过图形化在基板(3)上形成的有机半导体层(13)以及通过图形化在基板(3)上形成且覆盖着包括有机半导体层(13)的侧壁在内的暴露表面的保护膜(15)。在基板(3)上设有具有开口(11a)的绝缘分隔壁(11),并且有机半导体层(13)是通过图形化在被分隔壁(11)分开的状态下在分隔壁(11)的开口(11a)的底部上形成的。另外,保护膜(15)被设置为填充分隔壁(11)的开口(11a)的内部。
申请公布号 CN101971348B 申请公布日期 2014.06.04
申请号 CN200980108597.9 申请日期 2009.01.08
申请人 索尼公司 发明人 米屋伸英
分类号 H01L29/786(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I 主分类号 H01L29/786(2006.01)I
代理机构 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人 冯丽欣;陈桂香
主权项 一种显示装置,其包括:源极电极和漏极电极,它们设置在基板上;设置在所述基板上的绝缘分隔壁,它具有第一开口、第二开口和第三开口,所述第一开口延伸至所述源极电极和所述漏极电极之间的所述基板,且所述第二开口和所述第三开口分别延伸至所述源极电极和所述漏极电极;有机半导体层,它在被所述分隔壁分开的状态下在所述分隔壁的所述第一开口的底部处设置在所述源极电极和所述漏极电极之间;保护膜,它是通过图形化形成的,并且覆盖着包括所述有机半导体层的侧壁在内的暴露表面并填充所述分隔壁的所述第一开口的内部;绝缘膜,它形成在所述保护膜和所述分隔壁上;栅极电极,它以与所述有机半导体层重叠的状态设置在所述绝缘膜上;层间绝缘膜,它覆盖着栅极绝缘膜和所述栅极电极;连接孔,它们在所述第二开口和所述第三开口内侧分别延伸至所述源极电极和所述漏极电极;以及像素电极,它设置在所述层间绝缘膜上,并且通过形成在所述层间绝缘膜和所述分隔壁中的所述连接孔与所述源极电极或所述漏极电极连接,其中,所述保护膜的周缘部设置在所述分隔壁上。
地址 日本东京