发明名称 实现增强LED样品光提取效率的三维类球形结构及制备方法
摘要 本发明是一种三维类球形结构的制备方法,其步骤包括:在样品上旋涂光刻胶,利用热板或烘箱对样品上的光刻胶进行前烘;根据所要制备的图形尺寸及形状并考虑邻近效应制备相应的掩膜版;利用紫外光刻机,采用欠曝光对样品进行曝光并显影处理;选择合适的温度对曝光后的样品进行热流处理,形成三维的类球形形状的光刻胶结构样品;将光刻胶结构样品用干法刻蚀工艺进行刻蚀,从而将光刻胶形状转移到样品材料表面;用丙酮溶液或者去胶机去除样品表面的残胶即得到三维类球形结构。该三维类球形结构应用到LED上,可以大幅度提高LED的光提取效率。本发明还提供一种实现增强LED样品光提取效率的三维类球形结构。
申请公布号 CN103840038A 申请公布日期 2014.06.04
申请号 CN201210475863.5 申请日期 2012.11.21
申请人 中国科学院物理研究所 发明人 杨海方;尹红星;顾长志;祝传瑞;刘哲;夏晓翔;刘宝利
分类号 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 梁爱荣
主权项 一种三维类球形结构的制备方法,所述制备步骤包括: 步骤S1:在需要做结构的样品上旋涂光刻胶,利用热板或烘箱对样品上的光刻胶进行前烘,得到覆有光刻胶的样品,烘烤的温度由光刻胶的类型决定; 步骤S2:根据所要制备的图形尺寸及形状并考虑邻近效应制备相应的掩膜版; 步骤S3:利用紫外光刻机和掩膜版,采用欠曝光的方法对覆有光刻胶的样品进行曝光,并对曝光后的样品进行显影处理,得到曝光显影后的样品; 步骤S4:选择范围为90℃‑150℃的温度,对曝光显影后的样品进行热流处理,形成三维的类球形形状的光刻胶结构; 步骤S5:利用干法刻蚀方法对具有三维的类球形形状光刻胶结构的样品进行刻蚀,将三维的类球形形状的光刻胶图形转移到样品表面,得到表面含有残胶的三维结构样品; 步骤S6:用丙酮溶液或者去胶机去除步骤5得到的样品表面的残胶,即在样品上得到三维类球形结构。 
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