| 发明名称 | 带有弱导光波导模式的电吸收调制器 | ||
| 摘要 | 一种电吸收调制器，包括在至少一个p-掺杂半导体层(6)和至少一个n-掺杂半导体层(8)之间的一个吸收层(7)，这些层形成了一个脊形波导结构，吸收层的厚度在9-60nm之间，脊形的宽度在4.5-12微米之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101939689B | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN200880115149.7 | 申请日期 | 2008.09.10 |
| 申请人 | 华为技术有限公司 | 发明人 | 戴维·格雷汉姆·穆迪 |
| 分类号 | G02F1/025(2006.01)I;G02F1/017(2006.01)I;G02B6/42(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/025(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种电吸收调制器，包括在至少一个p‑掺杂半导体层和至少一个n‑掺杂半导体层之间的一吸收层，其中，这些多个层形成一个脊形波导结构，吸收层的厚度在9‑60nm之间，脊形的宽度在4.5‑‑12微米之间，其特征在于，所述吸收层包括数个半导体层：带有两个量子阱的多量子阱MQW；紧接于MQW上面和下面的InGaAsP层；以及位于InGaAsP层外部的InP层，其中，所述MQW由带有势垒区的InGaAs组成，所述势垒区由InAlAs组成。 | ||
| 地址 | 518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼 | ||