白光LED芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种白光LED芯片及其制备方法，包括蓝光外延芯片、导电层、荧光粉层、金属纳米结构层、P型电极和N型电极；所述蓝光外延芯片包括依次层叠的衬底层、缓冲层、n型半导体层、量子阱层、p型半导体层；所述导电层蒸镀于蓝光外延芯片的P型半导体层上；所述荧光粉层涂覆在所述导电层上；所述金属纳米结构层生长于所述荧光粉层上。本发明在白光LED芯片的荧光粉层上制备金属纳米结构，设计特定的金属纳米结构的大小和形状，调节其表面等离子体共振波长，使金属表面等离子体吸收共振频率与绿光发光材料的发射频率相匹配，使金属表面自由电子振荡与荧光粉发光材料的相互作用产生共振，实现表面等离子体荧光增强LED白光发光效率。

主权项

一种白光LED芯片，其特征在于，包括蓝光外延芯片、导电层、荧光粉层、金属纳米结构层、P型电极和N型电极；所述蓝光外延芯片包括依次层叠的衬底层、缓冲层、n型半导体层、量子阱层、p型半导体层；所述导电层蒸镀于蓝光外延芯片的P型半导体层上；所述荧光粉层涂覆在所述导电层上；所述金属纳米结构层生长于所述荧光粉层上。