发明名称 电源钳位ESD电路
摘要 本发明公开了一种电源钳位ESD保护电路,包括:一检测电路,一缓存电路,一泄放电路。所述缓存电路,由一个反相器,或三个串接的反相器,或五个串接的反相器组成;在所述缓存电路的第一个反相器的电源端与电源电压的连线中串接一个二极管连接的NMOS晶体管,即该NMOS晶体管的栅极和漏极与电源电压相连接,其源极与所述第一个反相器的电源端相连接。本发明能在芯片正常工作时,保证ESD电路处于关闭状态,不影响芯片正常工作。
申请公布号 CN103840440A 申请公布日期 2014.06.04
申请号 CN201210480247.9 申请日期 2012.11.23
申请人 上海华虹集成电路有限责任公司 发明人 马和良;赵英瑞
分类号 H02H9/00(2006.01)I;H02H9/04(2006.01)I 主分类号 H02H9/00(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 戴广志
主权项 一种电源钳位静电放电ESD电路,包括:一检测电路,由一采用二极管连接的第一NMOS晶体管和一电容组成,该第一NMOS晶体管的栅极和漏极与电源电压相连接,其源极与所述电容的一端相连接,该电容的另一端接地;一缓存电路,由一个反相器,或三个串接的反相器,或五个串接的反相器组成,其输入端与第一NMOS晶体管的源极和所述电容的连接端相连接;一泄放电路,由一第二NMOS晶体管组成,其栅极与所述缓存电路的输出端相连接,其漏极与电源电压相连接,其源极接地;其特征在于:在所述缓存电路的第一个反相器的电源端与电源电压的连线中串接一个二极管连接的第三NMOS晶体管,即该第三NMOS晶体管的栅极和漏极与电源电压相连接,其源极与所述第一个反相器的电源端相连接。
地址 201203 上海市浦东新区碧波路572弄39号