| 发明名称 | 包括同时抛光衬底晶片的正面和反面的抛光半导体晶片的方法 | ||
| 摘要 | 用于抛光半导体晶片的方法，其包括在抛光介质的存在下同时抛光衬底晶片的正面和反面，并实现从衬底晶片的正面和反面去除材料，所述方法分为第一和第二步骤，第一步骤中的材料去除速度高于第二步骤，其中将第一抛光浆液用作第一步骤中的抛光介质，并将第二抛光浆液用作第二步骤中的抛光介质，并且第二抛光浆液与第一抛光浆液的区别至少在于第二抛光浆液包含聚合物添加剂。 | ||
| 申请公布号 | CN103839798A | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201310585234.2 | 申请日期 | 2013.11.19 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | A·海尔迈尔;L·米斯图尔;K·勒特格;田畑诚 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 谭邦会 |
| 主权项 | 一种用于抛光半导体晶片的方法，其包括在抛光介质的存在下同时抛光衬底晶片的正面和反面，以实现从所述衬底晶片的正面和反面去除材料，所述方法分为第一和第二步骤，第一步骤中的材料去除速度高于第二步骤中的材料去除速度，其中第一抛光浆液被用作第一步骤中的抛光介质，第二抛光浆液被用作第二步骤中的抛光介质，并且第二抛光浆液与第一抛光浆液的区别至少在于第二抛光浆液包含聚合物添加剂。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||