| 发明名称 | 一种中高压沟槽型功率器件的终端结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种中高压沟槽型功率器件的终端结构及其制作方法，属于半导体功率器件制备技术领域。该终端结构的终端区域至少有一个沟槽，沟槽的两侧均有表面结，靠近有源区的一侧为n型注入结，远离有源区的一侧为p型注入结，沟槽内有填充物。本发明一方面可以在保证器件具有高的击穿电压的同时，缩小了终端保护区的面积，降低了芯片制造成本；另一方面能够降低寄生电荷的影响，提高器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN103839978A | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201310086262.X | 申请日期 | 2013.03.18 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明人 | 喻巧群;朱阳军;卢烁今;田晓丽 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘丽君 |
| 主权项 | 一种中高压沟槽型功率器件的终端结构，其特征在于，在功率器件的终端区域至少有一个沟槽，所述沟槽的两侧均有表面结，靠近有源区的一侧为n型注入结，远离有源区的一侧为p型注入结，所述沟槽内有填充物。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 | ||