发明名称 |
基于四方相铁酸铋的MFIS结构及制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种基于基于四方相铁酸铋的MFIS结构及制备方法,其中基于四方相铁酸铋的MFIS结构,包括:一单晶Si衬底;一绝缘介质层,其制作在半导体单晶Si衬底上,该绝缘介质层能有效防止单晶Si衬底中Si原子的高温扩散和化学反应,有效降低MFIS结构的电荷注入效应并防止击穿现象发生;一T-BiFeO<sub>3</sub>铁电功能层,其制作在绝缘介质层上,该T-BiFeO<sub>3</sub>铁电功能层是基于四方相铁酸铋MFIS结构的信息存储载体,它具有较大的铁电矫顽场和较高的铁电极化,能有效增大MFIS结构的存储窗口;一金属栅顶电极,其制作在T-BiFeO<sub>3</sub>铁电功能层上;一背电极,其制作在单晶Si衬底的背面。 |
申请公布号 |
CN103839946A |
申请公布日期 |
2014.06.04 |
申请号 |
CN201410085838.5 |
申请日期 |
2014.03.10 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
付振;尹志岗;张兴旺;赵亚娟;陈诺夫;吴金良 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
任岩 |
主权项 |
一种基于四方相铁酸铋的MFIS结构,包括:一单晶Si衬底;一绝缘介质层,其制作在半导体单晶Si衬底上,该绝缘介质层能有效防止单晶Si衬底中Si原子的高温扩散和化学反应,有效降低MFIS结构的电荷注入效应并防止击穿现象发生;一T‑BiFeO<sub>3</sub>铁电功能层,其制作在绝缘介质层上,该T‑BiFeO<sub>3</sub>铁电功能层是基于四方相铁酸铋MFIS结构的信息存储载体,它具有较大的铁电矫顽场和较高的铁电极化,能有效增大MFIS结构的存储窗口;一金属栅顶电极,其制作在T‑BiFeO<sub>3</sub>铁电功能层上;一背电极,其制作在单晶Si衬底的背面。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |