| 发明名称 | 屏蔽结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型提出了一种屏蔽结构，使传感器免受外界条件的干扰，包括顶部金属遮挡物以及侧面金属遮挡物，所述侧面金属遮挡物包围所述传感器，所述顶部金属遮挡物形成于所述传感器的上方，并与所述侧面金属遮挡物相连。在传感器的侧面形成侧面金属遮挡物，在传感器的上方形成顶部金属遮挡物，由于所述侧面金属遮挡物包围传感器，能够对来自传感器侧面的光线进行屏蔽，并且顶部金属遮挡物能够屏蔽来自传感器顶部的光线，从而能够实现全面的对传感器进行外界条件屏蔽，提高传感器的精度。 | ||
| 申请公布号 | CN203629599U | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201320804357.6 | 申请日期 | 2013.12.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 蒲贤勇;程勇 |
| 分类号 | G01D11/24(2006.01)I | 主分类号 | G01D11/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种屏蔽结构，使传感器免受外界条件的干扰，其特征在于，所述结构包括顶部金属遮挡物以及侧面金属遮挡物，所述侧面金属遮挡物包围所述传感器，所述顶部金属遮挡物形成于所述传感器的上方，并与所述侧面金属遮挡物相连。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区（亦庄）文昌大道18号 | ||