具有低微坑密度(MPD)的锗锭/晶圆和其制造系统及方法

摘要

公开了用于晶体生长的系统和方法，包括在已生长的锗晶体中减少微坑腔密度的特征。在一个示例实施方式中，提供了一种方法：将带有原材料的安瓿插入具有加热源的炉；使用垂直生长法生长晶体，其中实现结晶化温度梯度相对于原材料/坩埚的运动以熔化该原材料；以及，以预定晶体生长长度生长该原材料以实现单晶晶体，其中可重复地提供具有减少的微坑密度的单晶锭。

主权项

一种在晶体生长炉内生长单晶锗晶体的方法，所述晶体生长炉包括一个加热源、多个加热区域、一个安瓿和一个坩埚，所述方法包括：将锗原材料装载入该坩埚；密封该坩埚和容器；将该坩埚放进具有坩埚支撑件的晶体生长炉中；熔化该坩埚中的锗原材料以生成熔体；控制该熔体的结晶化温度梯度，同时将该熔体放置为与籽晶相接触；通过所述结晶化温度梯度和/或所述坩埚的相对于彼此的运动，形成单晶锗锭；以及冷却该单晶锗锭；其中可重复地提供具有大于0.025/cm²且小于0.51/cm²的微坑密度的单晶锗锭;其中所述坩埚具有渐缩的晶体生长区域，该晶体生长区域具有25mm至50mm的长度。