一种原位反应制备碳纳米管增强铜基复合钎料的方法

摘要

一种原位反应制备碳纳米管增强铜基复合钎料的方法，本发明涉及制备碳纳米管增强铜基复合钎料的方法。本发明要解决现有碳纳米管增强铜基复合钎料的制备方法存在碳纳米管均匀分散性差和结构完整性的问题。方法：制备NiNO₃/Cu混合物，然后将NiNO₃/Cu混合物均匀铺于硅片上并置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氢气并升温，再通入碳源气体进行沉积，沉积结束后，停止通入碳源气体，最后冷却至室温以下，得到碳纳米管/铜复合粉末，再将金属粉末与碳纳米管/铜复合粉末混合均匀，即得到碳纳米管增强铜基复合钎料。本发明用于一种原位反应制备碳纳米管增强铜基复合钎料的方法。

主权项

一种原位反应制备碳纳米管增强铜基复合钎料的方法，其特征在于一种原位反应制备碳纳米管增强铜基复合钎料的方法是按照以下步骤进行的：一、将铜粉末和六水硝酸镍颗粒混合，得到混合物，再将混合物加入到无水乙醇中，得到混合溶液，将混合溶液搅拌均匀，然后在温度为60℃～80℃下，搅拌混合溶液至无水乙醇全部蒸发，得到NiNO₃/Cu混合物；所述的铜粉末和六水硝酸镍颗粒的质量比为1:(0.095～0.105)；二、将步骤一制备出的NiNO₃/Cu混合物均匀铺于硅片上，然后将表面铺有NiNO₃/Cu混合物的硅片置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，抽真空至压强为5Pa以下，以气体流量为19sccm～21sccm通入氢气，调节抽真空速度将等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强控制为190Pa～210Pa，并在压强为190Pa～210Pa和氢气气氛下30min内将温度升温至为750℃～790℃；三、通入碳源气体，调节氢气的气体流量为10sccm、碳源气体的气体流量为40sccm，并调节抽真空速度将等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强控制为500Pa～700Pa，然后在沉积系统射频电源频率为13.56MHz、射频功率为170W～180W、压强为500Pa～700Pa和温度为750℃～790℃条件下进行沉积，沉积时间为10min～30min，沉积结束后，关闭射频电源和加热电源，停止通入碳源气体，调节氢气的气体流量为20sccm，并调节抽真空速度将等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强控制为150Pa～200Pa，在压强为150Pa～200Pa和氢气气氛下从温度为750℃～790℃冷却至室温，即得到碳纳米管/铜复合粉末；四、将金属粉末与步骤三制备的碳纳米管/铜复合粉末放入球磨机中，进行研磨并搅拌至粉体混合均匀，即得到碳纳米管增强铜基复合钎料。