| 发明名称 | 一种硅基绝缘体上硅衬底结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅基绝缘体上硅衬底结构及其制备方法，该硅衬底结构包括：硅衬底；形成于该硅衬底之上的结晶氧化物层；以及形成于该结晶氧化物层之上的结晶硅层。本发明提供的硅基绝缘体上硅衬底结构及其制备方法，通过在硅衬底表面沉积结晶氧化物层，再在结晶氧化物层表面上沉积单晶硅层，从而实现了方便地在绝缘体上制备极薄硅层，具有可大面积生长、散热性能好、衬底绝缘性能好、以及制备成本低廉等优点，可以方便在大尺寸晶圆上制备全耗尽硅基器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103839947A | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201210491259.1 | 申请日期 | 2012.11.27 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王盛凯;刘洪刚;孙兵;赵威 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种硅基绝缘体上硅衬底结构，其特征在于，所述硅衬底结构包括：硅衬底；形成于该硅衬底之上的结晶氧化物层；以及形成于该结晶氧化物层之上的结晶硅层。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||