发明名称 |
一种制备纳米碳化硅晶须的方法 |
摘要 |
一种制备纳米碳化硅晶须的方法是将石墨烯与硅粉混合均匀,在保护气氛或真空保护下进行烧结,降温至室温;取出样品在空气中于煅烧,煅烧后的产物浸泡于氢氟酸与盐酸的混合酸中处理后用去离子水洗涤至pH=7后进行干燥处理,得到纳米碳化硅晶须。本发明具有晶须产率高、直晶率高、熔点高、强度大、热膨胀系数小、制备工艺简单易于实现工业化的优点。 |
申请公布号 |
CN103834988A |
申请公布日期 |
2014.06.04 |
申请号 |
CN201410110623.4 |
申请日期 |
2014.03.24 |
申请人 |
中国科学院山西煤炭化学研究所 |
发明人 |
陈成猛;刘卓;蔡榕;李晓明;孔庆强 |
分类号 |
C30B1/10(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I |
主分类号 |
C30B1/10(2006.01)I |
代理机构 |
太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 |
代理人 |
刘宝贤 |
主权项 |
一种制备纳米碳化硅晶须的方法,其特征在于包括如下步骤: (1) 按石墨烯与硅粉的质量比为0.01‑100:1混合均匀后,在保护气氛或真空保护下,以升温速率为1‑15℃/min升温至1000‑2400℃,恒温为10‑200 min进行烧结,烧结后以降温速率为1‑15℃/min降温至室温; (2)高温反应结束后,取出样品在空气中于400‑1200℃下煅烧,煅烧时间为5‑300 min,将煅烧后的产物浸泡于氢氟酸与盐酸的混合酸中,氢氟酸与盐酸的摩尔比为0.5‑10:1,混合酸处理时间为1‑48 h;(3)将步骤(2)得到的产物,用去离子水洗涤至pH=7后进行干燥处理,得到纳米碳化硅晶须。 |
地址 |
030001 山西省太原市迎泽区桃园南路27号 |