改进半导体器件的粘附力的方法和用于处理半导体器件的方法

摘要

题为改进的铜的粘附力以及铜的电迁移耐力的本发明涉及通常是铜层的图案化导电金属层与图案化阻挡介电层之间改进的粘附力。该具有改进的粘附力的结构包括粘附层，其位于图案化阻挡介电层与图案化导电金属层之间。该粘附层改进了金属层和阻挡层之间的粘附力，而并未增加铜的体电阻。制造该具有改进的粘附力的结构的方法包括步骤：将该图案化导电金属层热暴露到有机金属前体，以至少在该图案化导电金属层的顶部上沉积粘附层。

主权项

一种改进半导体器件的粘附力的方法，包括步骤：(a)在工艺处理室中提供基材；其中该基材包括至少一个图案化介电层以及至少一个图案化导电金属层；以及(ab)对该基材进行预处理；(b)在工艺处理室中引入有机金属前体，以将粘附层选择性地沉积在至少一个图案化导电金属层上；(c)对具有所述粘附层的所述基材进行后处理；和(d)在具有所述粘附层的所述基材上沉积介电阻挡层；其中该有机金属前体选自有机锌、有机银、有机铬、有机锡、有机锰、有机镍、有机钴、有机铝及其混合物，其中重复步骤(ab)和(b)直至得到所需厚度的该粘附层，该预处理选自H₂等离子体、NH₃等离子体、H₂／He等离子体、H₂／N₂等离子体及其混合物，以及该后处理选自H₂等离子体、NH₃等离子体、H₂／He等离子体、H₂／N₂等离子体及其混合物。