低深度连接沟槽及制造方法

摘要

本发明公开了一种低深度连接沟槽，其采用较小的沟槽深度，并增加沟槽底部的大剂量N型注入和热过程，在沟槽填充重掺杂的N型多晶硅后，从多晶硅通过N型离子注入区形成连接N型重掺杂基板的低电阻通路。工艺完成后，较浅的沟槽可和单晶基板间有较少的失配，能降低硅片翘曲度。本发明还公开了所述低深度连接沟槽的制造方法。

主权项

一种低深度连接沟槽，其特征在于：所述沟槽底部位于硅衬底上的外延层中，不深入到衬底；沟槽内填充多晶硅；沟槽底部具有离子注入区连接沟槽内的多晶硅和外延下的硅衬底。