发明名称 等离子体温度控制装置和等离子体温度控制方法
摘要 本发明的课题在于提供等离子体温度控制装置和等离子体温度控制方法,其中,可形成室温以下,特别是零度以下的等离子体,并且在低温至高温的较宽的温度范围内,能够更正确地控制等离子体温度。该装置包括使等离子体用气体变为等离子体的等离子体产生部(40);等离子体用气体温度控制部(30),其控制供给等离子体产生部(40)的等离子体用气体的温度,控制等离子体用气体的温度,控制在等离子体产生部(40)中产生的等离子体的温度。
申请公布号 CN102172105B 申请公布日期 2014.06.04
申请号 CN200980138949.5 申请日期 2009.09.03
申请人 冲野晃俊;宫原秀一 发明人 冲野晃俊;宫原秀一
分类号 H05H1/46(2006.01)I;H05H1/24(2006.01)I 主分类号 H05H1/46(2006.01)I
代理机构 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 代理人 刘激扬
主权项 一种等离子体温度控制装置,其特征在于,该装置包括:等离子体产生部,其使等离子体用气体变为等离子体;等离子体用气体温度控制部,其使冷却部及加热部协同工作,控制供给等离子体产生部的等离子体用气体的温度,将依次通过上述冷却部和加热部的上述等离子体用气体供给到上述等离子体产生部,温度测定部,其测定等离子体的温度,将上述温度测定部测定的等离子体温度反馈给等离子体用气体温度控制部,同时在上述冷却部中冷却上述等离子体用气体,将该冷却的等离子体用气体在上述加热部加热,通过控制上述等离子体用气体的温度,从而将上述等离子体产生部产生的等离子体的温度控制在零度以下的温度。
地址 日本国神奈川县