用于隔离间距倍增材料环的部分的方法及相关结构

摘要

使半导体材料的连续环的不同部分彼此电隔离。在一些实施例中，使所述环的末端与所述环的中间部分电隔离。在一些实施例中，通过间距倍增工艺来形成半导体材料的具有在其末端处连接在一起的两个支脚的环，在所述间距倍增工艺中在心轴的侧壁上形成间隔物的环。移除所述心轴且将掩蔽材料的块覆盖在所述间隔物环的至少一个末端上。在一些实施例中，掩蔽材料的所述块覆盖所述间隔物环的每一末端。将由所述间隔物及所述块界定的图案转印到半导体材料的层。所述块将所有所述环电连接在一起。沿所述环的每一支脚形成选择栅极。所述块充当源极/漏极。以断开状态偏置所述选择栅极以防止电流从所述环的支脚的中间部分流动到所述块，借此使所述中间部分与所述环的所述末端电隔离且还使环的不同支脚彼此电隔离。

主权项

一种制造集成电路的方法，其包含：提供具有由半导体材料形成的多个环的衬底，所述环中的每一者由在所述环中的所述每一者的第一末端及第二末端处接合的第一及第二狭长部分来界定，其中所述第二末端与所述第一末端相对，其中所述环的所述第一末端由导电材料相互接合且所述环的所述第二末端由导电材料相互接合；以及沿所述环中的每一者的每一第一狭长部分提供第一对晶体管中的每一者，其中所述第一对晶体管中的一个晶体管接近所述环的所述第一末端且所述第一对晶体管中的另一晶体管接近所述环的所述第二末端，其中每一环形成所述第一对晶体管中的每一者的有源区；其中提供所述第一对晶体管中的每一者包含掺杂所述有源区的任一侧以形成源极/漏极区域以及直接在所述环上形成晶体管栅极，所述栅极在其下方界定所述有源区；其中所述第一末端和第二末端中的一者是源极区域，且其中提供所述第一对晶体管中的每一者包含使所述源极区域及所述栅极共同电分流。