| 发明名称 | 微电极阵列植入式芯片及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种微电极阵列植入式芯片及其制备方法。该微电极阵列植入式芯片包括：基底，其前端呈针状，向后逐渐增宽；测试电极层，形成于基底上，包括：至少一种的微电极阵列；绝缘层，形成于除微电极阵列所在区域之外的基底上；以及参比电极层，形成于绝缘层上，与测试电极层的微电极阵列相互错开，包括与至少一种微电极阵列相对应的参比电极。本发明中，参比电极与测试电极分布在不同平面上，从而节约了芯片面积，方便进行植入式操作。 | ||
| 申请公布号 | CN103829938A | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201210487381.1 | 申请日期 | 2012.11.26 |
| 申请人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明人 | 蔚文婧;蔡新霞;宋轶琳;刘春秀;蒋庭君;石文韬;林楠森;王蜜霞;徐声伟 |
| 分类号 | A61B5/04(2006.01)I | 主分类号 | A61B5/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 曹玲柱 |
| 主权项 | 一种微电极阵列植入式芯片，其特征在于，包括：基底，其前端呈针状，向后逐渐增宽；测试电极层，形成于所述基底上，包括：至少一种的微电极阵列；绝缘层，形成于除所述微电极阵列所在区域之外的基底上；以及参比电极层，形成于所述绝缘层上，与所述测试电极层的微电极阵列相互错开，包括与所述至少一种微电极阵列相对应的参比电极。 | ||
| 地址 | 100080 北京市海淀区北四环西路19号 | ||