半导体装置

摘要

本发明涉及一种半导体装置，提供ESD耐受量高的半导体装置。第一通路(16)是用于从焊盘到ESD保护电路的NMOS晶体管的漏极的电连接的部分。该第一通路(16)设于漏极正上方，大体存在于焊盘的正下方。因此，施加于焊盘的ESD的浪涌电流变得易于均等地去向全部漏极。于是，ESD保护电路的NMOS晶体管的各沟道变得容易均等地动作，半导体装置的ESD耐受量变高。

主权项

一种半导体装置，在焊盘下具有NMOS晶体管，所述半导体装置具有：所述NMOS晶体管，具有：交替地配置的源极以及漏极的扩散区域、配置于所述源极与所述漏极之间的各沟道上的栅极电极、以及用于固定包围所述源极以及漏极的扩散区域和所述栅极电极的衬底的电位的P型扩散区域，所述沟道的数量为偶数；第一下层金属膜，为了进行与所述漏极的电连接而配置于所述漏极上；第二下层金属膜，用于将所述源极和所述栅极电极与所述P型扩散区域电连接；中间层金属膜，为矩形环形状，在所述焊盘下具有开口部，经由第一通路与所述第一下层金属膜电连接；上层金属膜，配置于所述中间层金属膜上，经由第二通路与所述中间层金属膜电连接，形成所述焊盘；以及保护膜，具有与所述开口部一致的焊盘开口部，所述NMOS晶体管仅仅与所述中间层金属膜的一边相交，与其他边不相交，所述第一通路设于所述漏极正上方的所述中间层金属膜的一边。