半导体精细图案的形成方法

摘要

一种半导体精细图案的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有待刻蚀材料层，所述待刻蚀材料层具有第一区域和第二区域；在待刻蚀材料层第一区域的表面形成若干分立的第一牺牲层，在待刻蚀材料层第二区域的表面形成若干分立的第二牺牲层；分别在第一牺牲层和第二牺牲层的两侧形成第一侧墙；去除第一牺牲层和第二牺牲层；在第一侧墙两侧形成第二侧墙，形成若干分立的第一掩膜层和连续的第二掩膜层；以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜，刻蚀待刻蚀材料层，在待刻蚀材料层的第一区域形成具有间隔的重复图形，在待刻蚀材料层的第二区域形成连续图形。本发明的技术方案，能同时形成具有间隔的重复图形和连续的大尺寸图形。

主权项

一种半导体精细图案的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有待刻蚀材料层，所述待刻蚀材料层具有第一区域和第二区域；在待刻蚀材料层第一区域的表面形成若干分立的第一牺牲层，在待刻蚀材料层第二区域的表面形成若干分立的第二牺牲层；分别在第一牺牲层和第二牺牲层的两侧形成第一侧墙；去除第一牺牲层和第二牺牲层，位于待刻蚀材料层第一区域表面的第一侧墙之间的间距大于位于待刻蚀材料层第二区域表面的第一侧墙之间的间距；在第一侧墙两侧形成第二侧墙，位于待刻蚀材料层第一区域表面的第一侧墙及其两侧的第二侧墙形成若干分立的第一掩膜层，位于待刻蚀材料层第二区域表面的第一侧墙及其两侧的第二侧墙形成连续的第二掩膜层；以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜，刻蚀待刻蚀材料层，在待刻蚀材料层的第一区域形成具有间隔的重复图形，在待刻蚀材料层的第二区域形成连续图形。