检测及校正疑难的先进过程控制参数的方法及系统

摘要

本发明可具体实施于一种用于监视并控制例如集成电路制作过程等制造过程中的反馈控制的系统及方法中。过程控制参数可包含通过在硅晶片上操作的光刻扫描仪或步进器所施加的平移、旋转、放大、剂量及焦距。使用覆盖误差来计算所述反馈控制过程中使用的测得参数。统计参数经计算、正规化并绘制在一组共同轴上以一目了然地比较测得参数与过程控制参数以促进疑难参数的检测。还以图表方式比较参数趋势与背景松弛情境。可确定例如EWMAλ等反馈控制参数并将其用作反馈参数以用于精炼基于所述测得参数计算对所述过程控制参数的调整的APC模型。

主权项

一种用于监视反馈过程控制系统的方法，其包括以下步骤：接收与调整半导体装置处理线的半导体晶片过程工具相关联的多个所施加过程控制参数；测量半导体晶片的多个计量目标位置处的覆盖误差；基于所述测得覆盖误差确定一组测得参数；通过比较所述所施加过程控制参数与所述测得参数确定一组经修订过程控制参数；确定与所述测得参数相关联的第一组统计参数及与所述经修订过程控制参数相关联的第二组统计参数中的至少一者；及显示所述第一组统计参数及所述第二组统计参数中的至少一者。