| 发明名称 | 用于制造光电子半导体芯片的方法和相应的光电子半导体芯片 | ||
| 摘要 | 在方法的至少一个实施形式中，所述方法设计成用于制造光电子半导体芯片（10），尤其是发光二极管。该方法至少包括下述步骤：提供硅生长衬底（1）；借助于溅镀在生长衬底（1）上生成III族氮化物缓冲层（3），和在缓冲层（3）上方生长具有有源层（2a）的III族氮化物半导体层序列（2）。 | ||
| 申请公布号 | CN103843160A | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201280048166.X | 申请日期 | 2012.08.28 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 约阿希姆·赫特功;卡尔·恩格尔;贝特霍尔德·哈恩;安德烈亚斯·魏玛;彼得·施陶斯 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L33/12(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;H01L33/22(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I;C30B23/06(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 丁永凡;张春水 |
| 主权项 | 一种用于制造光电子半导体芯片（10）的方法，具有下述步骤：‑提供硅生长衬底（1）；‑借助于溅镀在所述生长衬底（1）上生成III族氮化物缓冲层（3）；以及‑在所述缓冲层（3）上方生长具有有源层（2a）的III族氮化物半导体层序列（2）。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||