一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：步骤S101：在包括伪栅极的半导体衬底上依次形成先进图案化薄膜、金属硬掩膜、底部抗反射层和光刻胶层；步骤S102：对光刻胶层和底部抗反射层进行曝光显影，形成图形化的光刻胶和底部抗反射层；步骤S103：去除金属硬掩膜未被图形化的光刻胶和底部抗反射层覆盖的部分；步骤S104：去除先进图案化薄膜未被图形化的底部抗反射层覆盖的部分；步骤S105：去除所述伪栅极。本发明的方法由于采用先进图案化薄膜、金属硬掩膜、底部抗反射层和光刻胶层这一叠层结构来实现伪栅极的去除，有效地避免了对层间介电层及在先形成的金属栅极的损害，提高了器件良率。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤S101：在包括伪栅极的半导体衬底上依次形成先进图案化薄膜、金属硬掩膜、底部抗反射层和光刻胶层；步骤S102：对所述光刻胶层和底部抗反射层进行曝光、显影处理，形成图形化的光刻胶和底部抗反射层，其中，所述图形化的光刻胶和底部抗反射层未覆盖所述伪栅极；步骤S103：刻蚀去除所述金属硬掩膜未被所述图形化的光刻胶和底部抗反射层覆盖的部分；步骤S104：刻蚀去除所述先进图案化薄膜未被所述图形化的底部抗反射层覆盖的部分，暴露出所述伪栅极；步骤S105：刻蚀去除所述伪栅极。