| 发明名称 | 基片刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种基片刻蚀方法，其包括以下步骤：沉积作业，用以在硅槽侧壁上沉积聚合物；刻蚀作业，用以对所述硅槽侧壁进行刻蚀；重复所述沉积作业和刻蚀作业至少两次；其中，在完成所述刻蚀作业的所有循环次数的过程中，反应腔室的腔室压力按预设规则由预设的最高压力值降低至最低压力值。本发明提供的基片刻蚀方法能够避免产生侧壁伤害的问题，从而可以使侧壁形貌光滑。 | ||
| 申请公布号 | CN103832965A | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201210482401.6 | 申请日期 | 2012.11.23 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 蒋中伟 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;张天舒 |
| 主权项 | 一种基片刻蚀方法，包括以下步骤：沉积作业，用以在硅槽侧壁上沉积聚合物；刻蚀作业，用以对所述硅槽侧壁进行刻蚀；重复所述沉积作业和刻蚀作业至少两次；其特征在于，在完成所述刻蚀作业的所有循环次数的过程中，反应腔室的腔室压力按预设规则由预设的最高压力值降低至最低压力值。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 | ||