| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：步骤S101：在半导体衬底上形成凹槽；步骤S102：在所述半导体衬底上及凹槽中形成扩散阻挡层和种子层；步骤S103：对所述种子层进行以氯为基础的表面处理；步骤S104：利用含铜电解液对所述半导体衬底进行电化学电镀，以在所述凹槽中形成金属层。本发明的半导体器件的制造方法，通过在进行电化学电镀形成金属层的步骤之前增加对种子层进行以氯为基础的表面处理的步骤，改善了电化学电镀工艺的间隙填充能力，提高了形成的铜金属层的良率，进而提高了半导体器件的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN103839872A | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201210476902.3 | 申请日期 | 2012.11.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 鲍宇;谭晶晶;白凡飞 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：在半导体衬底上形成凹槽；步骤S102：在所述半导体衬底上及凹槽中形成扩散阻挡层和种子层；步骤S103：对所述种子层进行以氯为基础的表面处理；步骤S104：利用含铜电解液对所述半导体衬底进行电化学电镀，以在所述凹槽中形成金属层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||