发明名称 |
一种锂硫电池纳米管阵列正极材料的制备方法 |
摘要 |
一种锂硫电池纳米管阵列正极材料的制备方法,属于锂硫电池正极材料的制备方法,解决现有锂硫蓄电池正极材料存在的导电性差、比容量低的问题。本发明包括(1)制备二氧化钛纳米管阵列步骤、(2)沉积导电增强材料步骤和(3)沉积单质硫步骤;可重复所述步骤(2)和步骤(3),形成多次沉积循环周期,得到具有多层同轴异质结构的正极材料,具有不同的硫负载量。本发明以二氧化钛纳米管阵列作为衬底材料,将导电增强材料和单质硫复合沉积进入二氧化钛纳米管,形成具有同轴异质结构的正极材料,改善正极材料的导电性,提高正极材料的硫负载量,进而提高锂硫电池的循环性能和比容量,对于加速硫化锂电池进一步规模化应用进程有一定的推进作用。 |
申请公布号 |
CN103840145A |
申请公布日期 |
2014.06.04 |
申请号 |
CN201410078317.7 |
申请日期 |
2014.03.05 |
申请人 |
华中科技大学 |
发明人 |
朱文;王慧勇 |
分类号 |
H01M4/48(2010.01)I;H01M4/62(2006.01)I;C25D11/26(2006.01)I;C25D9/02(2006.01)I;C25D5/54(2006.01)I;C25D9/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01M4/48(2010.01)I |
代理机构 |
华中科技大学专利中心 42201 |
代理人 |
曹葆青 |
主权项 |
一种锂硫电池纳米管阵列正极材料的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:(1)制备二氧化钛纳米管阵列步骤:采取两步阳极氧化法制备二氧化钛纳米管阵列,作为衬底;(2)沉积导电增强材料步骤:在作为衬底的二氧化钛纳米管阵列的各二氧化钛纳米管内,电化学沉积导电聚合物或导电金属材料,作为导电增强材料,得到沉积导电增强材料的衬底;(3)沉积单质硫步骤:在沉积导电增强材料的衬底上,所述二氧化钛纳米管阵列的各二氧化钛纳米管内,所沉积的导电增强材料表面,电化学沉积单质硫,作为正极活性物质,得到具有同轴异质结构的正极材料。 |
地址 |
430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |