发明名称 |
半导体结构及其形成方法 |
摘要 |
一种半导体结构及其形成方法,其中,半导体结构的形成方法包括:提供具有第一表面、与第一表面相对的第二表面的第一晶圆,第一表面具有至少一个半导体器件,半导体器件的顶部为第一导电层;提供具有第三表面、与第三表面相对的第四表面的第二晶圆,第二晶圆的第三表面上具有至少一个图形化的第二导电层,第二导电层与第一导电层的位置相对应;将第一导电层顶部与第二导电层顶部键合连接;键合连接后,减薄第二表面,使第一晶圆的厚度至最终厚度;由第四表面起,在第二晶圆内部形成导电插塞,导电插塞的底部电连接第二导电层;在减薄后的第一晶圆的第二表面形成第三导电层。采用本发明的方法可以提高整个芯片制程效率,并且降低成本。 |
申请公布号 |
CN103839776A |
申请公布日期 |
2014.06.04 |
申请号 |
CN201410084277.7 |
申请日期 |
2014.03.07 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
黄锦才;刘玮荪 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
张亚利;骆苏华 |
主权项 |
一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供第一晶圆,所述第一晶圆具有第一表面和与第一表面相对的第二表面,所述第一表面上具有至少一个半导体器件,所述半导体器件的顶部为第一导电层;提供第二晶圆,所述第二晶圆具有第三表面和与第三表面相对的第四表面,所述第二晶圆的第三表面上具有至少一个图形化的第二导电层,所述第二导电层与所述第一导电层的位置相对应;将所述第一导电层顶部与所述第二导电层顶部键合连接;所述键合连接后,减薄第一晶圆第二表面,使第一晶圆的厚度至最终厚度;由所述第二晶圆的第四表面起,在第二晶圆内部形成导电插塞,所述导电插塞的底部电连接所述第二导电层;在所述减薄后的第一晶圆的第二表面形成第三导电层。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 |