半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构的形成方法包括：提供具有第一导电层和第二导电层半导体衬底，半导体衬底表面具有第一介质层；在第一介质层内形成第一开口，第一开口暴露出第一导电层；在第一介质层表面、第一开口的侧壁和底部表面形成第一金属层和第二介质层，第一金属层和第二介质层暴露出第二导电层的对应位置的第一介质层表面；以第一金属层和第二介质层为掩膜，刻蚀第一介质层，形成暴露出第二导电层的第二开口，第二开口包括暴露出第二导电层的第一子开口、以及与第一子开口贯通的第二子开口；形成填充满第一开口和第二开口的第四金属层。所述半导体结构的形成方法简单，所形成的半导体结构性能稳定。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和第二导电层的表面和半导体衬底的表面齐平，所述半导体衬底、第一导电层和第二导电层的表面具有第一介质层；在所述第一介质层内形成第一开口，所述第一开口暴露出第一导电层和部分半导体衬底；在所述第一介质层表面、第一开口的侧壁和底部表面形成第一金属层和第一金属层表面的第二介质层，所述第一金属层和第二介质层暴露出第二导电层的对应位置的第一介质层表面，形成第三开口；以所述第一金属层和第二介质层为掩膜，刻蚀所述第一介质层，形成暴露出第二导电层的第二开口，所述第二开口包括暴露出第二导电层的第一子开口、以及底部与所述第一子开口贯通的第二子开口，所述第二子开口的开口尺寸大于所述第一子开口的开口尺寸；在所述第二开口的侧壁和底部表面、以及第一开口的第二介质层表面形成第三金属层、以及位于所述第三金属层表面且填充满第一开口和第二开口的第四金属层。